| 项目 | 值 |
|---|---|
| 位扩展 | 增加字长,芯片地址线并联 |
| 字扩展 | 增加字数,用片选信号区分 |
| 字位同时扩展 | 先位扩展再字扩展 |
单个存储芯片的容量和字长有限,实际计算机需要通过扩展来构建大容量、宽字长的存储器。扩展方式分为位扩展(增加字长)、字扩展(增加容量)和字位同时扩展。
目的:增加存储器的字长(数据位数),不改变字数。
需要芯片数 = 目标字长 / 芯片字长 = 8 / 4 = 2 片
地址线 A9-A0:两片并联
CS(片选):两片并联(同时选中)
数据线:芯片0接 D3-D0,芯片1接 D7-D4
目的:增加存储器的字数(地址空间),不改变字长。
需要芯片数 = 目标容量 / 芯片容量 = 4K / 1K = 4 片
高位地址 A11,A10 通过 2-4 译码器产生 4 个片选信号
A11 A10 → 译码器
0 0 → CS0(0000-03FF)
0 1 → CS1(0400-07FF)
1 0 → CS2(0800-0BFF)
1 1 → CS3(0C00-0FFF)
数据线 D7-D0:四片并联;低位地址 A9-A0:四片并联
目的:同时增加字长和字数。先位扩展满足字长,再字扩展满足容量。
需要芯片数 = (4K/1K) × (8/4) = 4 × 2 = 8 片
排列方式:4 组,每组 2 片(位扩展)
芯片0-1(组0):CS0;芯片2-3(组1):CS1;……
每组内:位扩展(并联地址线和控制线)
组间:字扩展(高位地址译码片选)
n 位地址线 → 2ⁿ 个存储单元
例:10 根地址线 → 2¹⁰ = 1024 = 1K 个单元
1K×8 位芯片:
地址线:log₂(1024) = 10 根
数据线:8 根
控制线:CS(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
电源线:VCC、GND
输入:C, B, A(3 位)+ 使能 G1, G2A, G2B
输出:Y0~Y7(8 个,低电平有效)
C B A → 有效输出
0 0 0 → Y0 0 0 1 → Y1 …… 1 1 1 → Y7
CPU ←→ 存储器
地址总线 → 地址线(低位直接连,高位译码)
数据总线 ↔ 数据线
控制总线 → 控制线(R/W, MREQ 等)
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