SRAM和DRAM对比 · 融合风（象牙 + Obsidian 入口）

速查

SRAM 用触发器（快、贵、不刷新），用于 Cache；DRAM 用电容（慢、便宜、需刷新），用于主存。DRAM 采用地址复用（RAS/CAS 分两次送地址）减少引脚，且破坏性读出需重写。

核心概念 ▾

SRAM（Static RAM）和 DRAM（Dynamic RAM）是两种主要的半导体随机存储器，核心区别在于存储信息的机制不同：SRAM 用触发器，DRAM 用电容。

核心对比表

对比项	SRAM	DRAM
存储元件	触发器（6 个晶体管）	电容（1 晶体管 + 1 电容）
信息存储	触发器的两个稳定状态	电容的充电/放电状态
是否需要刷新	不需要	需要（电容会漏电）
读出方式	非破坏性读出	破坏性读出（读后需恢复）
速度	快	较慢
集成度	低	高
功耗	较大	小
价格	贵	便宜
主要用途	Cache	主存
外部地址线	一组	两组（地址复用）

关键定义 ▾

存储元件对比

特性	SRAM（触发器）	DRAM（电容）
存储原理	双稳态触发器	电容充放电
晶体管数	6 个/位	1 个/位 + 电容
稳定性	自保持，无需干预	电容会漏电，需定期刷新
读出影响	非破坏性	破坏性读出

DRAM 刷新机制

刷新方式	说明	特点
集中刷新	一个刷新周期内集中刷新所有行	有死时间
分散刷新	每次读写周期后插入刷新	无死时间，但加长周期
异步刷新	刷新分散到整个刷新周期内	折中方案（408 常考）

DRAM 地址复用

操作	说明
行地址选通	先送行地址，用 RAS（行地址选通）信号锁存
列地址选通	再送列地址，用 CAS（列地址选通）信号锁存
地址线数	原需 2n 条，复用后只需 n 条

DRAM 读操作时序

步骤	操作	说明
1	送行地址	地址线上传送行地址
2	RAS 有效	锁存行地址
3	送列地址	地址线上传送列地址
4	CAS 有效	锁存列地址
5	数据输出	选中单元数据输出

手算示例 ▾

示例 1：存储器容量与地址线计算

某 DRAM 芯片容量为 $4M \times 8$ 位，采用地址复用，求地址线数：

4M = 2^22，需要 22 位地址
地址复用：行地址和列地址各 11 位
地址线数 = 11 条（而非 22 条）
数据线数 = 8 条

示例 2：刷新时间计算

某 DRAM 有 1024 行，刷新周期为 2ms：

集中刷新（设存取周期 0.5μs）：

死时间 = 1024 × 0.5μs = 512μs
死时间比率 = 512μs / 2ms = 25.6%

异步刷新：

刷新间隔 = 2ms / 1024 ≈ 1.95μs（每隔约 1.95μs 刷新一行）

示例 3：SRAM vs DRAM 选型

① 高速缓存 → SRAM（速度快，容量需求小）
② 主存 → DRAM（容量大，成本适中）
③ 大容量存储 → 磁盘/SSD（非易失，容量大）

示例 4：DRAM 芯片引脚计算

$16M \times 1$ 位 DRAM 芯片，采用地址复用：

16M = 2^24，地址 24 位
地址复用：地址引脚 12 个
数据引脚：1 个；控制引脚：约 4 个（RAS/CAS/WE/CS）
电源引脚：约 2 个（VCC/GND）
总引脚数 ≈ 20 个（远少于不复用的 24+1+4+2 = 31 个）

常见考法 ▾

SRAM 和 DRAM 特性对比：表格记忆。
DRAM 刷新方式：集中、分散、异步的区别。
地址复用：引脚数量计算。
刷新时间计算：死时间比率。
应用场景：Cache 用 SRAM，主存用 DRAM。

易错点 ▾

必记

混淆刷新需求：SRAM 不需要刷新，DRAM 必须刷新。
读出方式：SRAM 非破坏性，DRAM 破坏性读出。
地址线计算：DRAM 地址复用后地址线数是原来的一半。
速度：SRAM 约为 DRAM 的 4~10 倍。
刷新以行为单位，不是按单元刷新。
RAS 锁存行地址，CAS 锁存列地址。

核心结论 ▾

SRAM 用触发器，DRAM 用电容：根本区别。
SRAM 快、贵、不需刷新：适合 Cache。
DRAM 慢、便宜、需刷新：适合主存。
DRAM 地址复用：减少引脚数，降低成本。
DRAM 破坏性读出：读后必须恢复数据。
刷新以行为单位：每个刷新周期内所有行至少刷新一次。

记忆卡片 ▾

SRAM、DRAM 存储信息的根本区别？

SRAM 用触发器（双稳态、自保持）；DRAM 用电容（充放电、会漏电需刷新）。

DRAM 的地址复用是什么？

地址分行列两次传送（RAS 锁行、CAS 锁列），共用一组地址线，引脚数减半。

Cache 与主存分别用什么？

Cache 用 SRAM（快），主存用 DRAM（容量大、便宜）。

DRAM 三种刷新方式特点？

集中有死时间；分散无死时间但拖慢；异步均匀分散、折中（408 常考间隔）。

交互动画 · DRAM 地址复用（RAS/CAS） ▾

地址复用流程：点击步骤按钮逐步观察行列地址的两次传送

点击①开始（当前无激活信号）

示意图：同一组地址线先送行地址（RAS 锁存），再送列地址（CAS 锁存），最后从存储阵列输出数据；橙色高亮当前激活的部件与数据通路。