| 项目 | 值 |
|---|---|
| 存储元件 | 电容 + 晶体管（1T1C） |
| 刷新周期 | 约 64ms |
| 刷新方式 | 集中 / 分散 / 异步 |
| 读出方式 | 破坏性读出，读后需恢复 |
| 地址复用 | 行列地址分两次送（减少引脚数） |
| 典型芯片 | SDRAM、DDR SDRAM |
DRAM 以电容存储信息（有电荷 = 1，无电荷 = 0），每个存储单元由一个晶体管和一个电容构成（1T1C）。
| 刷新方式 | 说明 |
|---|---|
| 集中刷新 | 一个刷新周期内集中一段时间刷新所有行（有死区） |
| 分散刷新 | 每个读写周期后附加一个刷新周期 |
| 异步刷新 | 将刷新均匀分散在整个刷新周期内（死区最小） |
DRAM 采用行列地址复用：地址线数量减半（如 20 位地址只需 10 根地址线），先送行地址（RAS 选通），再送列地址（CAS 选通），减少芯片引脚数、降低成本。
内存条 = 多个 DRAM 芯片并联
├── 位扩展：多个芯片的同一位组合 → 增加数据宽度
├── 字扩展：多个芯片地址选择 → 增加容量
└── 字位同时扩展：两者结合现代内存条（如 DDR4 DIMM）：64 位数据宽度；双通道 / 四通道 → 带宽翻倍；DDR（双倍数据速率）上升沿和下降沿都传输数据。
| 性质 | 说明 |
|---|---|
| 存储密度 | 高（1T1C 结构简单） |
| 刷新周期 | 64ms（标准） |
| 读出方式 | 破坏性读出 |
| 地址线 | 行列复用，引脚数减半 |
| 访问模式 | 按行缓冲（行激活 → 列读取） |
| 速度 | 比 SRAM 慢，比磁盘快 |
| 考法 | 解题套路 |
|---|---|
| 刷新方式对比 | 集中（死区大）→ 分散（效率低）→ 异步（最优） |
| 地址复用计算 | $2^{n}$ 容量 → n/2 根地址线（行列各 n/2） |
| 为什么需要刷新 | 电容漏电，64ms 内必须全部刷新 |
| 破坏性读出 | 读出后需恢复，增加一次写操作 |
| 内存条扩展方式 | 位扩展（加宽）、字扩展（加深）、字位扩展 |
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